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合肥工業(yè)大學(xué)蔣陽、童國慶&蘇州大學(xué)唐建新團(tuán)隊(duì)IM:酸刻蝕誘導(dǎo)金屬陽離子競爭占位機(jī)制實(shí)現(xiàn)高效且光譜穩(wěn)定的藍(lán)光鈣鈦礦量子點(diǎn)LEDs
發(fā)布時(shí)間:2024-04-22 瀏覽量:1659


論文信息

H. Zhu, G. Tong, J. Li, X. Tao, Y. Shen, Y. Sheng, L. Shi, F. Xie, J. Tang, Y. Jiang. Acid-etching induced metal cation competitive lattice occupancy of perovskite quantum dots for efficient pure-blue QLEDsInterdiscip. Mater. 2024; 3(3). doi: 10.1002/idm2.12164


摘要

鈣鈦礦量子點(diǎn)(Perovskite quantum dots, PeQDs)由于其優(yōu)異的光電性能在發(fā)光二極管領(lǐng)域表現(xiàn)出極大的應(yīng)用潛力。然而,由量子點(diǎn)表面空位缺陷引起的器件效率低和光譜不穩(wěn)定是混合鹵素鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLEDs)進(jìn)一步發(fā)展所亟待解決的問題。合肥工業(yè)大學(xué)蔣陽教授、童國慶教授&蘇州大學(xué)唐建新教授團(tuán)隊(duì)合作,提出了一種基于酸刻蝕誘導(dǎo)陽離子競爭占位機(jī)制,即采用溶解金屬陽離子的辛酸溶液對(duì)鈣鈦礦量子點(diǎn)進(jìn)行后處理,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)鈣鈦礦量子點(diǎn)的原位鈍化?;诟男遭}鈦礦量子點(diǎn)的QLEDs在470 nm波段的外量子效率(EQE)為8.42%。此外,該器件的電致發(fā)光光譜表現(xiàn)出極好的穩(wěn)定性,在連續(xù)升高的工作電壓下,沒有任何偏移。這種通過酸刻蝕實(shí)現(xiàn)原位鈍化技術(shù)為鈣鈦礦QLEDs的效率和穩(wěn)定性的提升提供了新的思路。


主要內(nèi)容

鈣鈦礦量子點(diǎn)因其高熒光量子產(chǎn)率、窄半峰寬和帶隙可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)在發(fā)光二極管等領(lǐng)域備受關(guān)注。然而在LEDs中,由于鈣鈦礦量子點(diǎn)具有較高的離子屬性,其配體與量子點(diǎn)的表面離子的結(jié)合是高度動(dòng)態(tài)吸附,在合成提純以及薄膜器件制備過程中很容易導(dǎo)致表面配體的脫附,造成鈣鈦礦量子點(diǎn)的發(fā)光性能的下降,從而降低器件性能。同時(shí)量子點(diǎn)表面長鏈有機(jī)配體也不利于QLEDs中的載流子傳輸。因此,鈣鈦礦量子點(diǎn)的表面配體工程是提高其光電性能有效方法之一。


在此,我們通過有機(jī)酸刻蝕引入陽離子競爭占位機(jī)制,實(shí)現(xiàn)對(duì)CsPb(BrxCl1-x)3量子點(diǎn)表面缺陷的原位鈍化。通過添加辛酸(OTAC)可以有效去除不導(dǎo)電且弱鍵合的有機(jī)表面配體。溶解在OTAC 的鈉離子與質(zhì)子化的油胺配體相比,在量子點(diǎn)表面具有更高的吸附能,并且與質(zhì)子化的油胺形成競爭機(jī)制,填補(bǔ)至量子點(diǎn)表面由配體脫落導(dǎo)致的空位,從而避免了油胺配體替代銫離子導(dǎo)致插層引起的納米片形貌轉(zhuǎn)變。此外,錨定在表面空位的鈉離子對(duì)于表面缺陷態(tài)表現(xiàn)出鈍化效果,導(dǎo)致熒光量子效率(PLQY)的增強(qiáng)和熒光壽命(TRPL)的增強(qiáng)。


1. 酸刻蝕機(jī)理探究


鈣鈦礦量子點(diǎn)表面態(tài)分析(FTIR和XPS)表明辛酸的添加可以有效去除不導(dǎo)電且弱鍵合的有機(jī)表面配體。結(jié)構(gòu)分析(XRD和TEM)表明辛酸溶解的陽離子填補(bǔ)至量子點(diǎn)表面空位缺陷,可以有效避免由質(zhì)子化的油胺而引起的形貌轉(zhuǎn)變。

圖1 酸刻蝕機(jī)理表征。酸刻蝕前后鈣鈦礦量子點(diǎn)的(A)FTIR圖譜,(B)Pb 4f XPS圖譜,(C)Na 1s XPS圖譜。(D)初始鈣鈦礦量子點(diǎn)的TEM圖。(E)酸刻蝕鈣鈦礦量子點(diǎn)的TEM圖。(F)酸刻蝕前后鈣鈦礦量子點(diǎn)的XRD圖譜。(G,H)酸刻蝕前后配體與鈣鈦礦量子點(diǎn)的相互作用示意圖。


2. 理論計(jì)算與缺陷態(tài)表征


油胺和鈉離子吸附于鈣鈦礦(001)表面的吸附能分別為0.1 eV 和2.98 eV,表明金屬鈉離子的吸附模型具有較大的吸附能。態(tài)密度計(jì)算表明帶隙內(nèi)不利于激子復(fù)合的缺陷態(tài)在經(jīng)過圖中的鈉離子填補(bǔ)后被消除,與空間電荷限制電流方法(SCLC)測試結(jié)果相一致,表明該方法對(duì)表面空位缺陷具有良好的鈍化作用。

圖2 (A)油胺和(B)鈉與鈣鈦礦(100)表面的吸附能模型。(C)初始量子點(diǎn)和(D)鈉占位量子點(diǎn)的態(tài)密度。酸刻蝕前后的(E)僅電子層器件和(F)僅空穴層器件的J-V性能。


3. 光學(xué)性質(zhì)表征


經(jīng)過酸刻蝕后,鈣鈦礦量子點(diǎn)的熒光量子效率(PLQY)以及熒光壽命(TRPL)得到了顯著提升。同時(shí),量子點(diǎn)的激子結(jié)合能也得到了提高,能夠有效抑制鈣鈦礦量子點(diǎn)的缺陷態(tài)。此外,經(jīng)過酸刻蝕的鈣鈦礦量子點(diǎn)也表現(xiàn)出良好的高溫穩(wěn)定性。

圖3 酸刻蝕前后鈣鈦礦量子點(diǎn)的(A)UV-vis吸收光譜和PL光譜。(B)PLQY圖。(C)TRPL圖。(D)初始鈣鈦礦量子點(diǎn)和(G)酸刻蝕的鈣鈦礦量子點(diǎn)的低溫?zé)晒夤庾V。(E)初始鈣鈦礦量子點(diǎn)和(H)酸刻蝕的鈣鈦礦量子點(diǎn)的激子結(jié)合能擬合曲線。(F)初始鈣鈦礦量子點(diǎn)和(I)酸刻蝕的鈣鈦礦量子點(diǎn)的高溫?zé)晒夤庾V。


4. 器件性能


采用ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/OTAC-Na PeQDs/TPBi/LiF/Al 的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)建鈣鈦礦QLEDs。經(jīng)過溶解銫離子和鈉離子的辛酸刻蝕后的器件外量子效率分別達(dá)到了5.8%和8.4%。電致發(fā)光光譜在器件工作過程中表現(xiàn)出優(yōu)異的光譜穩(wěn)定性。

圖4 (A)器件結(jié)構(gòu)。(B)電致發(fā)光光譜。(C)CIE坐標(biāo)。(D)J-V-L曲線。(E)電流密度-EQE圖。(F)20個(gè)器件的EQE統(tǒng)計(jì)圖。


作者簡介

蔣  陽


合肥工業(yè)大學(xué)二級(jí)教授,學(xué)術(shù)、工程博士生導(dǎo)師。在Adv. Mater.Adv. Energy Mater. , Adv. Func. Mater.等國際知名學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表高水平論文150余篇,授權(quán)國家發(fā)明專利20余項(xiàng)。先后獲得國家科技進(jìn)步3等獎(jiǎng)、安徽省科技進(jìn)步1等、2等、3等獎(jiǎng),和中國科學(xué)院院長獎(jiǎng),并主編《粉體工程》等教材2部。主要從事半導(dǎo)體納米材料的合成與光電、能量轉(zhuǎn)換器件,以及先進(jìn)粉末冶金材料與成形技術(shù)的研究。探索和發(fā)展了系列低維II-VI族半導(dǎo)體、鈣鈦礦半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)和量子點(diǎn)材料與光電轉(zhuǎn)換與探測、能量轉(zhuǎn)換與儲(chǔ)存器件,及功能粉末冶金材料。


童國慶


合肥工業(yè)大學(xué)教授,博士生導(dǎo)師。2017年畢業(yè)于南京大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè),獲工學(xué)博士學(xué)位。2018-2021年,在日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)從事博士后研究。近5年來,以第一/通訊作者(含共同)身份在Adv. Mater.,Nat. Commun.,Adv. Energy. Mater.,Adv. Funct. Mater.,Nano-Micro Lett.,Nano Energy等期刊發(fā)表論文30+篇,申請(qǐng)專利15項(xiàng),已授權(quán)專利6項(xiàng)?,F(xiàn)擔(dān)任《Nano-Micro Letters》《eScience》《Rare Metals》期刊青年編委,安徽省電機(jī)工程學(xué)會(huì)太陽能發(fā)電專業(yè)委員會(huì)委員。主要從事半導(dǎo)體薄膜材料的表面/界面研究及其在光電子器件和儲(chǔ)能電池中的應(yīng)用。

唐建新


蘇州大學(xué)/澳門科技大學(xué)教授,博士生導(dǎo)師。在Adv. Mater.,Adv. Energy Mater.Adv. Funct. Mater.,ACS Nano等國際知名學(xué)術(shù)期刊發(fā)表SCI論文170余篇,論文他引4000余次,申請(qǐng)發(fā)明專利20余項(xiàng)(授權(quán)7項(xiàng)),撰寫英文專著2部(章)。擔(dān)任國際期刊《IEEE Electron Device Letters》副主編及《液晶與顯示》等多個(gè)學(xué)術(shù)期刊編委。主要開展發(fā)光器件在平板顯示及固體照明領(lǐng)域的應(yīng)用開發(fā);新型器件結(jié)構(gòu)、光電轉(zhuǎn)換過程以及結(jié)構(gòu)調(diào)控的研究;以及有機(jī)異質(zhì)結(jié)界面的電子態(tài)結(jié)構(gòu)、載流子輸運(yùn)過程、瞬態(tài)電致發(fā)光和載流子復(fù)合過程動(dòng)力學(xué)的研究。


期刊簡介

Interdisciplinary Materials(交叉學(xué)科材料)是由Wiley出版集團(tuán)與武漢理工大學(xué)聯(lián)合創(chuàng)辦的開放獲取式高水平學(xué)術(shù)期刊。主編為張清杰院士和傅正義院士。30位國際杰出學(xué)者和45位兩院院士作為期刊的編輯委員會(huì)委員。Interdisciplinary Materials 是國際上聚焦材料與其它學(xué)科交叉前沿發(fā)起出版的首本“交叉學(xué)科材料”領(lǐng)域高水平期刊,旨在發(fā)表材料學(xué)科與物理、化學(xué)、數(shù)學(xué)、力學(xué)、生物、能源、環(huán)境、信息等學(xué)科交叉研究的最新成果。

 · 2022年1月首發(fā),前三年完全免費(fèi)發(fā)表

 · 2022年6月被DOAJ數(shù)據(jù)庫收錄

 · 2022年9月入選“中國科技期刊卓越行動(dòng)計(jì)劃高起點(diǎn)新刊”

 · 2023年7月被Ei Compendex數(shù)據(jù)庫收錄

 · 2023年11月被ESCI數(shù)據(jù)庫收錄

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